STP10DB51G2
Общо описание
STP10DB51G2, включващ нов тип CMOS съвместим термобатарен сензорен чип, се характеризира с добра чувствителност, малък температурен коефициент на чувствителност, както и висока възпроизводимост и надеждност.AFE (аналогов преден край) чип е интегриран със сензора за термобатарея, осигуряващ усилване от 1000 за малкото изходно напрежение на сензора за термобатарея.Изходното напрежение на сензора може да бъде директно преобразувано от 10-битов или 12-битов ADC, което елиминира прецизния Zero-Drift усилвател и DC-DC веригата.Вграден е и високопрецизен цифров температурен сензор за компенсация на температурата на околната среда.
Характеристики и предимства
Изходното напрежение на сензора може да бъде директно преобразувано от 10-битов или 12-битов ADC
Малък размер, висока надеждност, 4-пинов SMD пакет
Работен температурен диапазон: −10°C до +80°C
Анти-електромагнитни смущения
100 μA ниска мощност и 2,5 V до 5,5 V широк обхват на захранващото напрежение
Интегрирана цифрова референтна температура с висока точност
Приложения
Блокова схема
Електрически характеристики (VS = 5,0 V, TA = +25°C, освен ако не е отбелязано друго.)
Оптични характеристики
